PRODOTTI

Componenti per l'impianto di ioni di tungsteno
Materiale: tungsteno, lega di tungsteno
Caratteristiche
Materiale: | Tungsteno, lega di tungsteno |
Purezza: | 99% |
Forma: | Come da disegni |
Grandezza: | Come da disegni |
Descrizione dei componenti per l'impianto di ioni di tungsteno
Il tungsteno è un metallo duro con un aspetto bianco lucido e argenteo. È resistente all'ossidazione e all'attacco di acidi e alcali. È un metallo ingombrante e ha il punto di fusione più alto di qualsiasi metallo. Il nome chimico del tungsteno è wolfram, rappresentato da W. Il suo numero atomico è 74 e appartiene alla categoria dei metalli di transizione, periodo 6 della tavola periodica.
L'impianto ionico è un processo importante ampiamente utilizzato nella fabbricazione di dispositivi a semiconduttore, nella finitura dei metalli e nella ricerca scientifica sui materiali. È un processo a bassa temperatura attraverso il quale gli ioni di un elemento vengono accelerati in un bersaglio solido, modificando così le proprietà fisiche, chimiche o elettriche del bersaglio.
L'impiantatore ionico è l'attrezzatura chiave nella realizzazione di circuiti integrati. Quando i fasci ionici vengono sparati sulla superficie del semiconduttore e depositati, la concentrazione del vettore e il tipo di conduzione vengono modificati. Possedendo la sua eccellente modifica della superficie, l'impianto ionico è ampiamente applicato in materiale semiconduttore, metallo, ceramica, polimero ad alto peso molecolare, ecc.
L'impianto ionico è essenziale per realizzare un circuito integrato massiccio (IC). I componenti dell'impianto ionico sono spesso realizzati in TZM, molibdeno e tungsteno perché questi materiali potrebbero funzionare bene in ambienti difficili grazie alla loro resistenza alla corrosione, resistenza e alta conduttività termica. La parte più importante di un sistema implanter è il percorso del fascio in cui sono impegnati i componenti. Qui, gli ioni vengono generati, concentrati, accelerati e mirati verso il wafer.
Prodotti per l'industria dei semiconduttori
Camere (tungsteno, molibdeno e leghe)
Filamenti (tungsteno e leghe di tungsteno)
Fessure ad arco (tungsteno, molibdeno e leghe)
Supporti (tungsteno, molibdeno e leghe)
Catodi (tungsteno, molibdeno e leghe)
Pezzi di ricambio (tungsteno, molibdeno e leghe, ceramica, acciaio)
Specifiche e composizione chimica
Materiale | Digitare | Composizione chimica (da wt.) |
Tungsteno puro | W1 · | >99,95%min. Mo |
Lega di rame di tungsteno | WCu · | 10% ~ 50% Cu / 50% ~ 90% W |
Lega pesante di tungten | WNiFe | 1,5 % - 10 % Ni, Fe, Mo |
Lega pesante di tungten | WNiCu | 5 % - 9,8 % Ni, Cu |
Renio di tungsteno | WRe | 5,0 % Re |
Tungsteno Moly | MoW50 · | 0,0 % W |
Proprietà chimiche del tungsteno
Dati chimici | |
Numero CAS | 7440-33-7 |
Sezione trasversale dei neutroni termici | 19.2 fienili/atomo |
Potenziale dell'elettrodo | 4,5 V |
Raggio ionico | 0,620 Å |
Elettronegatività | 1.7 |
Bordo di assorbimento dei raggi X | 0,17837 Å |
Equivalente elettrochimico | 3,43 g/A/h |
Proprietà fisiche del tungsteno
Proprietà | Metrico | Imperiale |
Densità | 19,3 g/cm3 | 0,697 lb/in3 |
Punto di fusione | 3370 °C | 6100 °F |
Punto di ebollizione | 5900 °C | 10700 °F |
Proprietà meccaniche del tungsteno
Proprietà | Metrico | Imperiale |
Resistenza alla trazione | 980 MPa | 142000 psi |
Modulo di elasticità | 400 GPa | 58000 KSI |
Modulo di taglio | 156 GPa | 22600 KSI |
Poissons Ratio | 0.28 | 0.28 |
Durezza, Brinell | 294 | 294 |
Durezza, Vickers | 310 | 310 |
Durezza, Knoop | 318 | 318 |
Durezza, Rockwell A | 66 | 66 |
Durezza, Rockwell C | 31 | 31 |
Proprietà termiche del tungsteno
Proprietà | Metrico | Imperiale |
Coefficiente di dilatazione termica (@20-100°C/68-212°F) | 4,40 μm/m°C | 2,44 μin/in°F |
Conducibilità termica | 163,3 W/mK | 1133 BTU in/hr.ft².°F |
Applicazioni dei componenti per l'impianto di ioni di tungsteno e settori correlati
● Produzione di semiconduttori
● Finitura dei metalli per l'indurimento dell'acciaio degli utensili e la finitura superficiale
● Miscelazione del fascio ionico per ottenere un'interfaccia graduale e rafforzare l'adesione tra materiale immiscibile
● Ricerca & Laboratorio
● Semiconduttore
● Metallo
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